Ministerio de Educación, Ciencia y Tecnología
Universidad Nacional de San Luis
FACULTAD DE CS. FISICO MAT. Y NAT.

ANEXO II

PROGRAMA DEL CURSO: ELECTRONICA ANALOGICA I

DEPARTAMENTO DE:   FISICA
AREA: Analisis Clinicos (FQByF)AÑO: 2004 (Id: 3419)
Estado: En tramite de Aprobación

 

I - OFERTA ACADÉMICA

CARRERAS PARA LAS QUE SE OFRECE EL MISMO CURSO

PLAN DE ESTUDIOS
ORD. Nº

CRÉDITO HORARIO

   

SEM.

TOTAL

INGENIERIA ELECTRONICA CON ORIENTACION EN SISTEMAS3/0310150

II - EQUIPO DOCENTE

Funciones

Apellido y Nombre

Total hs en
este curso

Cargo y Dedic.

Carácter

Responsable

MARCOLETA, ENRIQUE FRANCISCO4  hs.PROFESOR TITULAR EXC.Efectivo
ColaboradorROMA, FEDERICO JOSE4  hs.PROFESOR TITULAR EXC.Efectivo
Jefe Trab. Prác.COSTA, DIEGO ESTEBAN4  hs.JEFE DE TRABAJOS PRAC. EXC.Efectivo

III - CARACTERÍSTICAS DEL CURSO

CREDITO HORARIO SEMANAL
MODALIDAD
REGIMEN

Teórico/

Práctico

Teóricas

Prácticas de

Aula

Práct. de lab/ camp/

Resid/ PIP, etc.

ninguno
6 Hs.
4 Hs.
2 Hs.
2 Hs.
Asignatura
Otro: 
Duración: 13 semanas
Período del 9/8/004 al 12/11/04

IV.- FUNDAMENTACION


Estudio completo y general de los componentes básicos y discretos de la Electrónica Básica, a fin de que el alumno tome conocimientos teóricos y prácticos, y esto les permita continuar con su carrera con una sólida base. Comprende el estudio de los semiconductores, y aplicaciones de ellos.




V.- OBJETIVOS



Dar las herramientas básicas de la Electrónica, a fin de que el alumno adquiera los conocimientos, teóricos – prácticos de los componentes discretos de la Electrónica.

 


VI. - CONTENIDOS

PROGRAMA ANALITICO Y DE EXAMEN

BOLILLA 1.

MATERIALES SEMICONDUCTORES Y UNIONES.
Atomo de Bohr. Peso atómico. Capas y órbitas electrónicas. Niveles energéticos, Electrones de Valencia. Ionización. Atomos de Si y Ge. Enlaces covalentes.
Conducción en cristales semiconductores. Electrones y huecos. Corriente de huecos y electrones. Conductores y aisladores. Semiconductores tipo N y tipo P. Uniones PN. Capa de empobrecimiento. Diagramas energéticos de la unión. Polarización de la Unión PN.
Directa e Inversa.

BOLILLA 2.

DIODOS Y APLICACIONES.
Diodos rectificadores. Curvas. Pruebas con tester. Aproximaciones al diodo. Rectificadores de media onda. Efecto de la barrera de potencial. Tensión de pico inverso. Rectificadores de onda completa. Con derivación central y puente. Tensión de pico inverso en el rectificador de onda completa. Filtros para rectificadores R, L y C. Tensión de riple. Circuitos limitadores y Recortadores con diodos. Multiplicadores de voltaje. La hoja de datos para diodos. Localización de fallas. Aplicaciones.

BOLILLA 3.

DIODOS ESPECIALES.
Diodos Zener. Ruptura. Curvas. Corrientes. Coeficiente de temperatura. Aplicaciones de los diodos Zener. Regulación de tensión. Cargas variables. Limitación. Circuitos. Diodos Varactores. Aplicaciones. Diodos ópticos. LED y fotodiodos. Curvas. Aplicaciones. Otros tipos de diodos. Diodos túnel. Diodos Schottky. Láser. Localización de fallas. Aplicaciones.

BOLILLA 4.

TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR.
Construcción de transistores. Operación básica de los transistores. Parámetros y rangos de operación de los transistores. El transistor como amplificador de voltaje. El transistor como interruptor. Encapsulado de transistores e identificación de terminales.
Localización de fallas. Aplicaciones.

BOLILLA 5.

POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES.
Punto de polarización en CD. Recta de carga. Operación lineal. Distorsión de la salida. Polarización de la base. Polarización del emisor. Polarización mediante divisor de voltaje. Polarización mediante la realimentación del colector. Localización de fallas. Aplicaciones.


PROGRAMA ANALITICO Y DE EXAMEN

BOLILLA 1.

MATERIALES SEMICONDUCTORES Y UNIONES.
Atomo de Bohr. Peso atómico. Capas y órbitas electrónicas. Niveles energéticos, Electrones de Valencia. Ionización. Atomos de Si y Ge. Enlaces covalentes.
Conducción en cristales semiconductores. Electrones y huecos. Corriente de huecos y electrones. Conductores y aisladores. Semiconductores tipo N y tipo P. Uniones PN. Capa de empobrecimiento. Diagramas energéticos de la unión. Polarización de la Unión PN.
Directa e Inversa.

BOLILLA 2.

DIODOS Y APLICACIONES.
Diodos rectificadores. Curvas. Pruebas con tester. Aproximaciones al diodo. Rectificadores de media onda. Efecto de la barrera de potencial. Tensión de pico inverso. Rectificadores de onda completa. Con derivación central y puente. Tensión de pico inverso en el rectificador de onda completa. Filtros para rectificadores R, L y C. Tensión de riple. Circuitos limitadores y Recortadores con diodos. Multiplicadores de voltaje. La hoja de datos para diodos. Localización de fallas. Aplicaciones.

BOLILLA 3.

DIODOS ESPECIALES.
Diodos Zener. Ruptura. Curvas. Corrientes. Coeficiente de temperatura. Aplicaciones de los diodos Zener. Regulación de tensión. Cargas variables. Limitación. Circuitos. Diodos Varactores. Aplicaciones. Diodos ópticos. LED y fotodiodos. Curvas. Aplicaciones. Otros tipos de diodos. Diodos túnel. Diodos Schottky. Láser. Localización de fallas. Aplicaciones.

BOLILLA 4.

TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR.
Construcción de transistores. Operación básica de los transistores. Parámetros y rangos de operación de los transistores. El transistor como amplificador de voltaje. El transistor como interruptor. Encapsulado de transistores e identificación de terminales.
Localización de fallas. Aplicaciones.

BOLILLA 5.

POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES.
Punto de polarización en CD. Recta de carga. Operación lineal. Distorsión de la salida. Polarización de la base. Polarización del emisor. Polarización mediante divisor de voltaje. Polarización mediante la realimentación del colector. Localización de fallas. Aplicaciones.

BOLILLA 6.

AMPLIFICADORES BIPOLARES EN SEÑAL PEQUEÑA.
Operación de amplificadores en señal pequeña. Circuitos equivalentes del transistor en CA. Amplificadores en emisor común. Amplificadores en colector común. Amplificadores en base común. Amplificadores multietapa. Localización de fallas. Aplicaciones.

Bolilla 7.

TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO Y POLARIZACION.
El transistor de efecto campo de unión (JFET). Características y parámetros del JFET. Polarización del JFET. El FET semiconductor sobre óxido metálico (MOSFET). Características y parámetros del MOSFET. Polarización del MOSFET. Localización de fallas. Aplicaciones.

BOLILLA 8.

AMPLIFICADORES FET EN SEÑAL PEQUEÑA.
Operación de amplificadores FET en señal pequeña. Amplificadores con FET. Amplificadores en fuente común. Amplificadores en drenaje común. Amplificadores en compuerta común. Localización de fallas. Aplicaciones.

BOLILLA 9.

AMPLIFICADORES DE POTENCIA.
Amplificadores clase A. Amplificadores clase B. Push-Pull. Amplificadores clase C. Análisis gráfico de cada uno. Rendimientos. Distorsiones. Puntos de trabajo. Localización de fallas. Aplicaciones.

BOLILLA 10.

RESPUESTA EN FRECUENCIA DE AMPLIFICADORES.
Conceptos generales. Teorema de Miller y decibeles. Respuesta de amplificadores a bajas frecuencias. Respuesta de amplificadores a altas frecuencias. Respuesta total del amplificador.
Respuesta en frecuencia de amplificadores con FET. Técnicas de medición de la respuesta en frecuencia. Aplicaciones


VII. - PLAN DE TRABAJOS PRÁCTICOS

1. Diodos. Circuitos rectificadores con diodos.

2. Diodos. Curvas características. Circuitos limitadores y recortadores.

3. Diodos Zener y Leds. Características y circuitos de aplicación.

4. El transistor. Polarización en CC. Ganancia de corriente.

5. El transistor. Uso como interruptor. Amplificador emisor común.

6- El Transistor Efecto de Campo JFET. Característica de Transferencia. Autopolarización.

7- El Transistor Efecto de Campo JFET. Amplificador en Fuente Común. Amplificador en Drenador Común.

8- Amplificador clase B Push - Pull

NOTA :
El listado precedente es referido a temas, no implica que los mismos deban desarrollarse en su totalidad en una sola clase práctica ni que no puedan darse mas de uno por módulo.-


VIII - RÉGIMEN DE APROBACIÓN

Para obtener la regularidad y poder rendir el examen final como alumno regular será necesario:

- Haber aprobado el 100% de los trabajos prácticos.

- Haber aprobado la totalidad de los exámenes parciales.

- Para la aprobación de cada uno de los trabajos prácticos será necesario además de haberlos
realizados satisfactoriamente, y responder correctamente las preguntas que sobre el tema el Jefe de
Trabajos Prácticos pueda formularles, antes o durante el práctico.

- Los alumnos tendrán derecho a una única recuperación de cada parcial, pero no más de tres en
total, cualquiera sea el número de ellos. El primer parcial debe aprobarse antes de rendir el segundo,
para ello habrá una sola recuperación de este parcial, y será antes del segundo.

- La no - aprobación del primer parcial inhabilitara automáticamente al alumno para seguir cursando.

- Cada trabajo Práctico podrá ser recuperado una sola vez pero el total de recuperaciones no podrá
exceder de 3 ( tres ).

- No se aceptan alumnos que no estén en condiciones de regulares.

- No se aceptan alumnos libres en el examen final.

- Según la Resolución 654/86 de la Facultad de Ciencias Físico, Matemáticas y Naturales, los
alumnos que trabajen, y así lo justifiquen , en las listas que pasa la Sección Alumnos, podrán
solicitar una única recuperación adicional sobre el total de los exámenes parciales, a excepción
del primero.-



IX.a - BIBLIOGRAFÍA BÁSICA

- Dispositivos electrónicos. Thomas Floyd Editorial Limusa
- Principios de electrónica MALVINO Paul Albert Mc.Graw Hill



IX b - BIBLIOGRAFÍA COMPLEMENTARIA

- KIVER Milton S. - Editorial Marcombo
- Electrónica Integrada . MILLMAN Y HALKIAS. Hispano - Europea
- Prácticas de Electrónica ZBAR PAUL Marcombo
- Ingeniería Electrónica ALLEY Y ATWOOT Limusa Wiley
- Electrónica Moderna MORRIS Noel M . Paraninfo
- Electronics for scientists
MALMSTAD , ENKE and TOREN . W. A.
Benjamin Inc
- Basic Electronics Course \\,
NCR Howard W Sams and Co Inc.



COMPLEMENTO DE DIVULGACION


OBJETIVOS DEL CURSO

OBJETIVOS DEL CURSO (no más de 200 palabras):

Dar las herramientas básicas de la materia, a fin de que el alumno con ello no tenga dificultad en el resto de los cursos, que dependen fundamentalmente de esta Electrónica

 

 

PROGRAMA SINTETICO

PROGRAMA SINTETICO (no más de 300 palabras):
Materiales semiconductores.Uniones PN. Diodos y aplicaciones .Diodos especiales .Transistores de unión bipolares. Polarización. Amplificadores con transistores amplificadores de pequeña señal.Transistores de efecto de campo (FET) .Polarización.Amplificadores con FET.Amplificadores de potencia. Respuesta en frecuebcia.


 


IMPREVISTOS